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| 品牌 | KEYSIGHT/美國是德 | 價格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 產地類別 | 進口 | 應用領域 | 電子/電池 |
Keysight B1505A 曲線追蹤儀 銷售（Keysight Technologies）推出的功率器件分析儀，專為寬禁帶半導體（SiC/GaN）、大功率MOSFET/IGBT等功率電子器件的靜態參數測試、動態特性分析和可靠性評估設計。作為業界的一體化測試解決方案，B1505A 整合了高電壓源、大電流源、精密測量單元和高速開關，可覆蓋從研發到量產的全流程測試需求。
電壓/電流范圍：
電壓：±3kV（DC）或±2kV（脈沖）
電流：±1000A（脈沖，10ms脈寬）
功率：30kW（瞬時脈沖功率）
低導通電阻測量：0.1mΩ（四線開爾文連接）
靜態參數：
擊穿電壓（BVdss）、閾值電壓（Vth）
導通電阻（Rds(on)）、漏電流（Idss）
動態參數：
開關損耗（Eon/Eoff）
柵極電荷（Qg）、反向恢復電荷（Qrr）
可靠性測試：
HTGB（高溫柵偏）、H3TRB（高濕高反壓）
雪崩能量（EAS）測試
雙脈沖測試（DPT）：
支持硬件級實時控制（延遲<10ns）
可測高達1000V/200A的開關波形
高精度CVU選件：
電容-電壓測試（1kHz~1MHz）
柵極介質層缺陷分析
模塊化設計：
主機 + 可插拔測試模塊（如B1515A高壓模塊）
軟件生態：
標配EasyEXPERT軟件（預置JEDEC測試模板）
支持Python/LabVIEW二次開發
安全保護：
電弧檢測、過流/過壓保護
互鎖機制（符合IEC 61010標準）
SiC MOSFET：高溫Rds(on)特性（200°C）
GaN HEMT：動態導通電阻（Current Collapse）
功率二極管：反向恢復時間（trr）
IGBT模塊：Vce(sat)與開關損耗權衡優化
超級結MOSFET：柵極電荷（Qg）與FOM分析
功率循環測試（10萬次以上）
雪崩耐量驗證（Unclamped Inductive Switching）
晶圓級參數測試（Wafer-Level Probing）
終檢（Final Test）自動化方案
| 參數 | 規格 |
|---|---|
| 最大直流電壓 | ±3kV |
| 最大脈沖電流 | ±1000A（10ms） |
| 導通電阻測量范圍 | 0.1mΩ~10kΩ |
| 電容測試頻率 | 1kHz~1MHz（選配） |
| 時間分辨率 | 1ns（動態測試） |
| 接口 | LAN/GPIB/USB |
B1505A主機
B1515A高壓模塊（3kV/20A）
四線制開爾文測試夾具
B1505A-CVU：電容-電壓測試單元
B1505A-PWU：高功率脈沖單元（1000A）
B1505A-TRU：高溫測試套件（-55°C~+200°C）
| 特性 | B1505A | 傳統功率分析儀 |
|---|---|---|
| 測試范圍 | 3kV/1000A全覆蓋 | 通常<1kV或<100A |
| 動態測試 | 硬件級雙脈沖（10ns延遲） | 外接示波器+電源 |
| 集成度 | 靜態/動態/可靠性測試一體化 | 多設備拼湊 |
| 標準符合性 | 預置JEDEC/AEC-Q101測試流程 | 手動配置 |
連接DUT：通過低電感夾具接入半橋電路
配置參數：
母線電壓：800V
負載電流：50A
執行測試：
自動生成雙脈沖波形
捕獲Vds/Id開關軌跡
數據分析：
計算Eon/Eoff損耗
評估柵極驅動環路影響
Keysight B1505A 曲線追蹤儀 銷售憑借其超高功率測試能力、全參數一體化測試和生產級可靠性，成為：
第三代半導體研發的基準工具
功率模塊量產測試的高效平臺
車規級認證（AEC-Q101）的選擇
該產品特別適用于：
功率器件廠商（Wolfspeed/Infineon）
新能源汽車電驅系統開發商
電力電子國家重點實驗室
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