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      Keysight B1506A 曲線追蹤儀 銷售

      簡要描述:Keysight B1506A 曲線追蹤儀 銷售,是一款用于電路設計的綜合解決方案,可幫助電力電子電路設計人員選擇適合自身應用的功率器件,讓其電力電子產品發揮最大價值。 它可以評測器件在不同工作條件下的所有相關參數,包括 IV 參數(擊穿電壓和導通電阻)、三端 FET 電容、柵極電荷和功率損耗。 用于電路設計的 B1506A 功率器件分析儀/曲線追蹤儀具有完整的曲線追蹤儀功能以及其他功能。

      • 產品型號:是德 B1506A
      • 廠商性質:經銷商
      • 更新時間:2025-08-13
      • 訪  問  量:1099

      詳細介紹

      品牌KEYSIGHT/美國是德價格區間面議
      產地類別進口應用領域電子/電池

      Keysight B1506A 功率器件分析儀詳解

      1. 產品概述

      Keysight B1506A 曲線追蹤儀 銷售(Keysight Technologies)推出的功率器件分析儀,屬于B1500A系列的最新升級型號。該設備專為第三代半導體(SiC/GaN)、高壓IGBT模塊、功率MOSFET等器件的靜態參數測試、動態特性分析和可靠性驗證設計,提供業界的6kV高壓測試能力2000A脈沖電流驅動,是功率電子研發與量產測試的解決方案。


      2. 核心功能與特點

      2.1 極限測試能力

      • 超高電壓/電流范圍

        • 電壓:±6kV(DC)或±3kV(脈沖模式)

        • 電流:±2000A(脈沖,10ms脈寬)

        • 功率:50kW瞬時功率(配合水冷選件)

      • 超低電阻測量:0.01mΩ分辨率(四線開爾文連接)

      2.2 全參數測試覆蓋

      • 靜態參數

        • 擊穿電壓(BVdss)、閾值電壓(Vth)

        • 導通電阻(Rds(on))、漏電流(Idss)

      • 動態參數

        • 雙脈沖測試(DPT)開關損耗(Eon/Eoff)

        • 柵極電荷(Qg)、反向恢復時間(trr)

      • 可靠性測試

        • 高溫柵偏(HTGB)、功率循環(10萬次+)

        • 雪崩能量(EAS)測試(Unclamped Inductive Switching)

      2.3 創新技術

      • HyperSpeed PWM控制

        • 硬件級實時控制(延遲<5ns)

        • 支持SiC/GaN器件的超快開關測試(dV/dt >100V/ns)

      • CVU Pro選件

        • 寬頻電容-電壓測試(1kHz~10MHz)

        • 柵極氧化物缺陷分析(QBD/TDDB)

      2.4 系統集成與安全

      • 模塊化架構

        • 主機 + 可擴展測試模塊(如B1517A 6kV模塊)

        • 支持多DUT并行測試(選配)

      • 智能防護

        • 電弧檢測與自動斷電

        • 光隔離保護(符合IEC 61010-1安全標準)

      • 軟件生態

        • 標配EasyEXPERT+軟件(預置JEDEC/AEC-Q101模板)

        • 支持Python/API自動化控制


      3. 典型應用場景

      3.1 寬禁帶半導體研發

      • SiC MOSFET:高溫(250°C)動態導通電阻測試

      • GaN HEMT:Current Collapse效應分析

      • 功率模塊:多芯片并聯均流特性

      3.2 新能源汽車電驅

      • 電機控制器功率器件選型驗證

      • 車載充電機(OBC)效率優化

      3.3 工業能源設備

      • 光伏逆變器MPPT特性測試

      • 高壓直流輸電(HVDC)IGBT模塊評估

      3.4 量產測試

      • 晶圓級參數分選(Wafer Probing)

      • 終檢(FT)自動化系統集成


      4. 技術規格

      參數規格
      最大直流電壓±6kV
      最大脈沖電流±2000A(10ms)
      導通電阻測量范圍0.01mΩ~10kΩ
      電容測試頻率1kHz~10MHz(CVU Pro選件)
      時間分辨率1ns(動態測試)
      系統精度±0.05%讀數(電壓/電流)

      5. 系統配置方案

      基礎配置

      • B1506A主機

      • B1517A高壓模塊(6kV/50mA)

      • 低電感測試夾具(支持TO-247/DFN封裝)

      擴展選件

      • B1506A-PWU:2000A脈沖驅動單元

      • B1506A-THERM:高溫測試套件(-65°C~+300°C)

      • B1506A-PAR:多DUT并行測試模塊


      6. 與B1505A的對比升級

      特性B1506AB1505A
      電壓能力6kV(翻倍)3kV
      電流能力2000A脈沖1000A脈沖
      動態測試HyperSpeed PWM(<5ns延遲)標準雙脈沖(10ns延遲)
      應用場景高壓SiC/電網級IGBT中低壓功率器件

      7. 操作示例(6kV SiC MOSFET測試)

      1. 安全準備:連接光隔離探頭,啟動電弧防護

      2. 靜態測試

        • 掃描Vds-Id曲線(0~6kV)

        • 測量高溫(200°C)下Rds(on)

      3. 動態測試

        • 雙脈沖配置:Vds=3.3kV, Id=500A

        • 捕獲開關波形(Eon/Eoff損耗分析)

      4. 可靠性驗證

        • 執行1000次雪崩能量測試(EAS)


      8. 總結

      Keysight B1506A憑借其6kV/2000A的極限測試能力全生命周期分析功能,成為:

      • 超高壓功率器件研發的黃金標準

      • 車規級半導體認證的核心工具

      • 電網/能源設備驗證的技術

      該設備特別適用于:

      • 半導體廠商(Wolfspeed/Infineon/ST)

      • 新能源汽車電驅開發商(特斯拉/比亞迪)

      • 電力電子實驗室

      對于需要突破傳統測試設備極限的用戶,B1506AKeysight B1506A 曲線追蹤儀 銷售提供了覆蓋從研發到量產的6kV級解決方案


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